مطالعه انرژی بستگی و جذب نوری ناخالصی های دهنده در چاه های کوانتومی gaas - gaalas
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده مسعوده ملکی
- استاد راهنما حسین پناهی حمید رحیم پور
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1385
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
جذب نوری ناشی از ناخالصی در چاه کوانتومی سهموی
نقطه ی کوانتومی سیستم کوانتومی است که در آن حرکت حامل های بار در تمام راستاهای فضایی محدوداست. در نیم رساناها این محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده، خصوصیات فیزیکی آنها را تغییر دهد. علاوه بر این یکی از مهمترین مشخصه های نقطه های کوانتومی امکان گذار بین زیر نوارها در نوار رسانش ویا ظرفیت بوده واین امر توجه بسیاری از علاقه مندان را در سالهای اخیر به خود جلب ...
مطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs
در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...
متن کاملاثر میدان الکتریکی بر روی نقطه کروی کوانتومی GaAs/AlAs با ناخالصی هیدروژنی جایگزیده در مرکز
In this research, the effect of the uniform electric field on the ground-state of a centered hydrogenic donor impurity in a GaAs/AlAs spherical quantum dot was studied using infinite potential model. In presence of strong electric field, due to the stark effect (perturbing electric field), the ground state energy would increase linearly. In presence of weak electric fields, the normalized bind...
متن کاملوابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی
Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...
متن کاملمحاسبه ضریب عبور تشدید تونل‌زنی از چند لایه‌های GaAlAs/GaAs
A theoretical study of resonant tunneling in multilayered GaAlAs/GaAs structures are presented. The spectrum of resonant energies and its dependence on the barrier structure are analyzed from calculated profiles of barrier transparency versus energy, and from current voltage characteristics computed at selected temperatures and Fermi levels. The present formalism is based on the effective mas...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023